Пользовательского поиска
|
реальной
структуры кристаллов (наличия нарушений кристаллической решётки, системы
дислокаций, примесей и т. п.) и энергии, переданной системе свободных и
связанных электронов.
С
этой точки зрения нет никакой разницы в воздействии на вещество, например, быстрых
нейтронов и -излучения.
Оба вида излучения воздействуют на весь объём материала, так как проникающая
способность нейтронов и квантов достаточно высока.
В
случае нейтронных потоков смещение атомов вызывают сами нейтроны, в случае -излучения
— вторичные электроны. Разница в том, что электроны, образованные -квантами,
вызывают единичные смещения, а нейтроны — каскады вторичных и более высокого
порядка смещений. Расчеты показывают, что нейтрон вызывает на два – три порядка
больше точечных дефектов, чем электрон или -квант,
рождающий быстрый электрон.
Одновременно
с генерацией точечных дефектов нейтроны и -кванты
передают определённую часть своей энергии электронам кристаллической решётки.
Свободная энергия металлической системы повышается, и при этом понижается
энергия активации процессов, связанных с перемещением атомов и дефектов. В
результате увеличения подвижности атомов и дефектов, а также в зависимости от
физических и атомных параметров вещества и некоторых внешних факторов, может
образоваться многообразие наблюдаемых методами электронной микроскопии
радиационных дефектов: ассоциации вакансий и междоузельных атомов;
дискообразные скопления точечных дефектов, захлопывающихся в определённых
условиях в петли дислокаций, и многие другие дефекты.
Увеличению
подвижности точечных дефектов и атомов может способствовать и перераспределение
относительной плотности свободных и локализованных электронов в микрообластях
кристалла, возникающие как в результате образования радиационных дефектов, так
и вследствие возникновения динамической дополнительной подвижности элементов
системы. Как свидетельствуют опыты, значительно увеличивается подвижность атомов
в зонах радиационных повреждений, создаваемых быстрыми заряженными частицами,
осколками деления, либо ионизированными смещёнными атомами.