В качестве диффузанта используется бор. Разделительная диффузия осуществляется на всю глубину эпитаксиального слоя; при этом в подложке кремния формируются отдельные области полупроводника разделенные р – n переходами. В каждой изолированной области в результате последующих технологических операций формируется интегральный элемент.

Окисление

Фотолитография для вскрытия окон под базовую диффузию

Формирование базового слоя диффузией примеси р-типа

Для проведения базовой диффузии процессы очистки поверхности, окисления и фотолитографии повторяются, после чего проводится двухстадийная диффузия бора: первая — при температуре 950 – 1000 °С, вторая — при температуре 1150 – 1200 °С.

Окисление

Фотолитография для вскрытия окон под эмиттерную диффузию

Формирование эмиттерного слоя диффузией примеси n-типа

Эмиттерные области формируются после четвертой фотолитографии. Эмиттерная диффузия проводится в одну стадию при температуре около 1050 °С. Одновременно с эмиттерами формируются области под контакты коллекторов и нижние обкладки МДП-конденсаторов. В качестве легирующей примеси используется фосфор.

Фотолитография для вскрытия окон для травления окисла под МДП-конденсаторы

Данный этап необходим для создания тонкого окисла между верхней и нижней обкладками конденсатора. Он получается травлением пассивирующего слоя до нужной толщины.

Формирование тонкого окисла в местах создания МДП-конденсаторов

Фотолитография для вскрытия контактных окон

Напыление пленки алюминия

Соединения элементов ИМС создаются металлизацией. На поверхность ИМС методом термического испарения в вакууме наносится слой алюминия толщиной около 1 мкм. После фотолитографии на поверхности ИМС остаются