Пользовательского поиска
|
будущей
микросхеме. Фотошаблон может содержать до 2000 изображений одной микросхемы.
Последовательность
фотолитографического процесса состоит в следующем.
На
окисленную поверхность кремния с толщиной окисла 3000 – 6000 А наносят слой
фоторезиста с помощью центрифуги. Фоторезист сушат сначала при комнатной
температуре, затем при температуре 100 – 150 0С.
Подложку
совмещают с фотошаблоном и облучают ультрафиолетовым излучением. Засвеченный
фоторезист проявляют, а затем промывают в деионизированной воде. Оставшийся
фоторезист задубливают при комнатной температуре и температуре 200 °С в течение
одного часа, после чего окисленная поверхность кремния открывается в местах,
соответствующих рисунку фотошаблона. Открытые участки окисла травят в
специальных буферных травителях (например, 10 мл НF и 100 мл NH4F в
воде). На участки окисла, покрытые фоторезистом, травитель не действует. После
травления фоторезист растворяют органическим растворителем и горячей серной
кислотой. Поверхность пластины тщательно промывают. На поверхности кремния
остается слой SiO2, соответствующий рисунку схемы.
Диффузия для создания скрытого n-слоя
Локальная
диффузия является одной из основных технологических операций при создании
полупроводниковых ИМС.
Диффузия
в полупроводниковых кристаллах представляет собой направленное перемещение
примесных атомов в сторону убывания их концентрации. В качестве легирующих
примесей в кремнии используются в основном бор и фосфор, причем бор создает
примеси акцепторного типа, а фосфор донорного. Для бора и фосфора энергия
активации соответственно равна 3,7 и 4,4 эВ.
Различают
два режима диффузии: диффузия из неограниченного источника и диффузия из
ограниченного источника. В производстве ИМС реализуются оба случая диффузии.
Диффузия
из неограниченного источника представляет собой первый этап диффузии, в
результате которого в полупроводник вводится определенное количество примеси.
Этот процесс называют загонкой примеси.
Для
создания заданного распределения примесей в глубине и на поверхности
полупроводника проводится второй этап диффузии из ограниченного источника. Этот
процесс называется разгонкой примеси.