Пользовательского поиска

Элементы биполярных интегральных структур создаются в едином технологическом цикле на общей полупроводниковой подложке. Каждый элемент схемы формируется в отдельной изолированной области, а соединения между элементами выполняются путем металлизации на поверхности пассивированной схемы. Изоляция между элементами схемы осуществляется двумя способами: обратносмещенными р – n переходами и диэлектриком.

Изоляция обратно смещенным переходом реализуется следующими технологическими методами: разделительной, коллекторной изолирующей диффузией; базовой изолирующей диффузией; методом трех фотошаблонов, изоляцией n-полостью.

Для изоляции элементов ИМС диэлектриком используют слой SiO2, и Si3Н4, ситалл, стекло, керамику, воздушный зазор.

Последовательность операций планарно-эпитаксиальной технологии производства ИМС

Механическая обработка поверхности рабочей стороны кремниевой пластины р-типа до 14-го класса чистоты и травление в парах НСl для удаления нарушенного слоя

Подложки кремния шлифуют до заданной толщины, затем полируют (обычно до 14 класса точности), подвергают травлению и промывают. Эпитаксиальные структуры не требуют дополнительной механической обработки, а лишь подвергаются травлению и промывке перед процессами создания схем.

Окисление для создания защитной маски при диффузии примеси n-типа

На поверхности кремния выращивается плотная пленка двуокиси кремния, которая имеет близкий к кремнию коэффициент теплового расширения, что позволяет использовать ее как надежное защитное покрытие, а также изолятор отдельных компонентов ИМС, маску при проведении локальной диффузии и как активную часть прибора в МДП- структурах

 

Яндекс цитирования Rambler's Top100

Главная

Тригенерация

Новости энергетики

Сочи-2014,новости спорта