Пользовательского поиска
|
Элементы
биполярных интегральных структур создаются в едином технологическом цикле на
общей полупроводниковой подложке. Каждый элемент схемы формируется в отдельной
изолированной области, а соединения между элементами выполняются путем
металлизации на поверхности пассивированной схемы. Изоляция между элементами
схемы осуществляется двумя способами: обратносмещенными р – n переходами и
диэлектриком.
Изоляция
обратно смещенным переходом реализуется следующими технологическими методами:
разделительной, коллекторной изолирующей диффузией; базовой изолирующей
диффузией; методом трех фотошаблонов, изоляцией n-полостью.
Для
изоляции элементов ИМС диэлектриком используют слой SiO2, и Si3Н4,
ситалл, стекло, керамику, воздушный зазор.
Последовательность
операций планарно-эпитаксиальной технологии производства ИМС
Механическая обработка
поверхности рабочей стороны кремниевой пластины р-типа до 14-го класса чистоты
и травление в парах НСl для удаления нарушенного слоя
Подложки
кремния шлифуют до заданной толщины, затем полируют (обычно до 14 класса
точности), подвергают травлению и промывают. Эпитаксиальные структуры не
требуют дополнительной механической обработки, а лишь подвергаются травлению и
промывке перед процессами создания схем.
Окисление для создания защитной маски
при диффузии примеси n-типа
На
поверхности кремния выращивается плотная пленка двуокиси кремния, которая имеет
близкий к кремнию коэффициент теплового расширения, что позволяет использовать
ее как надежное защитное покрытие, а также изолятор отдельных компонентов ИМС,
маску при проведении локальной диффузии и как активную часть прибора в МДП-
структурах