Значения токов и напряжений на элементах схемы определяется с помощью программы Electronics Workbench (версия 5.12, разработчик — Interactive Image Technologies LTD).

Для последующего расчета топологических параметров разрабатываемой интегральной схемы необходимо определить следующие параметры:

• максимальный ток через резисторы I_R. Данный параметр необходим для расчета мощности, выделяющейся на резисторах, необходимой для последующих расчетов;
• для транзисторов — максимальный ток на коллекторном переходе, максимальный ток эмиттера, максимальное напряжение на переходе коллектор-база U_КБ.

Электрические параметры конденсаторов, необходимые для расчета их топологических параметров, приведены в задании к данной работе и не подлежат определению.

Значения параметров, указанных выше, приведены в таблице.

Таблица

Электрические параметры элементов интегральной схемы

Примечание. Данные значения токов и напряжений были измерены при подаче на логические входы схемы минимально допустимого напряжения логической единицы (1,9 В), и/или максимально допустимого напряжения логического нуля (0,7 В).

Технологические этапы изготовления ИМС

При производстве различных ИМС в текущий момент используется планарная технология, обеспечивающая воспроизводимые параметры интегральных элементов и групповые методы их производства Локальные технологические обработки участков монокристалла кремния обеспечиваются благодаря применению свободных и контактных масок. В планарной технологии многократно повторяются однотипные операции для создания различных по структуре ИМС.

Основными технологическими операциями при изготовлении ИМС являются:

• подготовка полупроводниковой подложки;