Пользовательского поиска
|
Конденсаторы
данной ИМС реализуются по МДП-технологии, что предполагает дополнительный этап
фотолитографии для создания слоя тонкого диэлектрика МДП-структуры.
На
этапах изготовления ИМС используется негативный фоторезист, кроме этапа
разделительной р диффузии, когда используется позитивный фоторезист.
Выводы
В
данной работе была разработана топология и рассчитаны параметры интегральной
логической схемы резисторно-емкостной транзисторной логики (РЕТЛ). Приведенные
расчеты подтверждают полное соответствие разработанной ИМС требованиям
технического задания. Топология микросхемы разработана с учетом технологических
возможностей оборудования. Линейные размеры элементов и расстояния между ними
больше минимально допустимых, что обеспечит меньшую погрешность при производстве,
а следовательно, и больший выход годных изделий при групповом производстве.
Электрические
параметры схемы учитывают работу схемы в реальных условиях, а именно скачки
питающего напряжения и напряжения на логических входах.
Расчеты
параметров элементов схемы предусматривают ее эксплуатацию в климатических
условиях, характерных для широты Украины.
Разработанная
ИМС полностью пригодна для эксплуатации в современной электронной аппаратуре.
Библиографический список
1.
Калниболотский
Ю. М. и др. Расчет и конструирование микросхем. — Киев: Высшая школа, 1983.
2.
Конструирование
и технология микросхем. Под ред. Коледова Л. А. — М.: Высшая школа, 1984.
Методичні вказівки до виконання розрахункових робіт на ЕОМ з курсу "Мікроелектроника та функціональна електроніка". ч.1,2. — Київ: КПІ, 1993.