.

e_SiO24, в нашем случае S = 6822,76 мм².

Ширина конденсатора, мкм:

.

В нашем случае  = 82,6 мкм.

1.                Выбираем расстояние координатной сетки для черчения h равным 1 мм, масштаб M выбираем равным 500:1.

Расстояние координатной сетки:

H_f = h/M.

В нашем случае H_f = 2 мкм.

2.                Приводим ширину конденсатора к расстоянию координатной сетки:

а_топ = [/ H_f].

Здесь [х] — целая часть х.

В нашем случае а_топ равно 41 расстоянию координатной сетки

Рассчитываем емкость С_расч рассчитанного конденсатора по формуле:

С_расч = 20,1271 пФ.

3.                Рассчитываем отклонение С_расч от С:

В нашем случае DС_расч = 0,636 %, что вполне удовлетворяет заданной в начале расчета погрешности.

Особенности топологии разрабатываемой ИМС

Для построения чертежей кристалла и фотошаблонов используется программа АutоСАD 2000 (разработчик — компания Autodesk).

При построении чертежей фотошаблонов учтены допуски на минимальные расстояния между отдельными элементами интегральной микросхемы.

Все резисторы данной схемы реализуются в базовом слое. Следовательно, на n-карман, в котором они находятся, подается максимальное напряжение, действующее в этой схеме, т. е. напряжение питания.