k₁, k₂ — поправочные коэффициенты, которые учитывают сопротивление околоконтактных областей резистора при разных конструкциях этих областей;

n₁, n₂ — количество околоконтактных областей каждого типа.

В нашем случае:

R₁ - R₄: l_расч = 198,579 мкм,

R₅: l_расч = 284,4.

1.               Рассчитаем длину резистора на фотошаблоне, учитывая растравливание окисла и боковую диффузию:

l_пром = l_расч + 2 (D_трав + D_у).

В нашем случае

R₁ - R₄: l_пром = 200,84 мкм,

R₅: l_пром = 286,2 мкм.

2.               За топологическую длину резистора l_топ берем ближайшее к l_топ значение, кратное расстоянию координатной сетки на фотошаблоне.

В нашем случае:

R₁ - R₄: l_топ = 200 мкм,

R₅: l_топ = 286 мкм.

3.               Рассчитываем реальную длину резистора на кристалле:

l = l_топ – 2 (D_трав + D_у).

R₁ - R₄: l = 198,2 мкм,

R₅: l = 284,2 мкм.

4.               Определяем сопротивление рассчитанного резистора:

R_расч = r_S (1/b + n₁k₁ + n₂k₂ + 0,55N_изг).

В нашем случае:

R₁ - R₄: R_расч = 4732, 991 Ом,

R₅: R_расч = 3301, 55 Ом.

Погрешность расчета:

.

В нашем случае

R₁ - R₄: DR_расч = 0,007

R₅: DR_расч = 0,00046.

Результаты расчета вполне удовлетворяют заданной погрешности.