Пользовательского поиска

k1, k2 — поправочные коэффициенты, которые учитывают сопротивление околоконтактных областей резистора при разных конструкциях этих областей;

n1, n2 — количество околоконтактных областей каждого типа.

В нашем случае:

R1 - R4: lрасч = 198,579 мкм,

R5: lрасч = 284,4.

1.               Рассчитаем длину резистора на фотошаблоне, учитывая растравливание окисла и боковую диффузию:

lпром = lрасч + 2 (Dтрав + Dу).

В нашем случае

R1 - R4: lпром = 200,84 мкм,

R5: lпром = 286,2 мкм.

2.               За топологическую длину резистора lтоп берем ближайшее к lтоп значение, кратное расстоянию координатной сетки на фотошаблоне.

В нашем случае:

R1 - R4: lтоп = 200 мкм,

R5: lтоп = 286 мкм.

3.               Рассчитываем реальную длину резистора на кристалле:

l = lтоп – 2 (Dтрав + Dу).

R1 - R4: l = 198,2 мкм,

R5: l = 284,2 мкм.

4.               Определяем сопротивление рассчитанного резистора:

Rрасч = rS (1/b + n1k1 + n2k2 + 0,55Nизг).

В нашем случае:

R1 - R4: Rрасч = 4732, 991 Ом,

R5: Rрасч = 3301, 55 Ом.

Погрешность расчета:

.

В нашем случае

R1 - R4: DRрасч = 0,007

R5: DRрасч = 0,00046.

Результаты расчета вполне удовлетворяют заданной погрешности.

 

Яндекс цитирования Rambler's Top100

Главная

Тригенерация

Новости энергетики

Сочи-2014,новости спорта