R₅: b_пром = 34,7512 мкм.

1.               Выберем расстояние координатной сетки h для черчения равным 1 мм и масштаб чертежа 500:1, тогда расстояние координатной сетки на шаблоне

 мкм.

2.               Определяем топологическую ширину резистора b_топ.

За b_топ принимают значение большее или равное b_пром — значение, кратное расстоянию координатной сетки фотошаблона

В нашем случае:

R₁ - R₄: b_топ = 6 мкм,

R₅: b_топ = 34 мкм.

3.               Выбираем тип контактных площадок резистора.

Исходя из рассчитанной топологической ширины, выбираем для R₁ - R₄ площадку, изображенную на рис.1а, для R₅ — на рис. 1б.

а

Рис. 1 Контактные площадки

4.               Находим реальную ширину резистора на кристалле, учитывая погрешности, вызванные растравливанием окисла и боковой диффузией:

b = b_топ + 2 (D_трав + D_у).

В нашем случае:

R₁ - R₄: b = 7,8 мкм,

R₅: b = 35,8 мкм.

5.               Определяем расчетную длину резистора:

l_расч = b (R/ r_S – n₁k₁ – n₂k₂ – 0,55N_изг,

где N_изг — количество изгибов резистора на 90°;