Пользовательского поиска

1.               Рассчитаем минимальную ширину резистора bточн, которая обеспечит заданную погрешность геометрических размеров:

,

где Db — погрешность ширины резистора;

Dl — погрешность длины резистора.

В нашем случае:

R1 - R4: bточн = 1,0455 мкм,

R5: bточн = 1,0617 мкм.

2.               Определяем минимальную ширину резистора bP, которая обеспечит заданную мощность Р:

,

где Р0 — максимально допустимая мощность рассеяния для всех ИМС, для полупроводниковых ИМС Р0 = 4,5 Вт/мм2.

В нашем случае:

R1 - R4: bр = 3,5183 мкм,

R5: bр = 34,1512 мкм.

3.               Расчетное значение ширины резистора определяется максимальным из рассчитанных значений:

bрасч = max{bP, bточн}

R1 - R4: bрасч = 3,5183 мкм,

R5: bрасч = 34, 1512 мкм.

Расчеты b для R1 – R4 дают значение ширины резистора меньше технологически возможной (5 мкм), поэтому для последующих расчетов принимаем bрасч = 5 мкм.

4.               С учетом растравливания окон в маскирующем окисле и боковой диффузии ширина резистора на фотошаблоне должна быть несколько меньше расчетной:

bпром = bрасч - 2( Dтрав - Dу).

Dтрав — погрешность растравливания маскирующего окисла,

Dу — погрешность боковой диффузии.

Для расчета примем Dтрав = 0,3; Dу = 0,6, тогда

R1 - R4: bпром = 5,6 мкм,

 

Яндекс цитирования Rambler's Top100

Главная

Тригенерация

Новости энергетики

Сочи-2014,новости спорта