1.               Рассчитаем минимальную ширину резистора b_точн, которая обеспечит заданную погрешность геометрических размеров:

,

где Db — погрешность ширины резистора;

Dl — погрешность длины резистора.

В нашем случае:

R₁ - R₄: b_точн = 1,0455 мкм,

R₅: b_точн = 1,0617 мкм.

2.               Определяем минимальную ширину резистора b_P, которая обеспечит заданную мощность Р:

,

где Р₀ — максимально допустимая мощность рассеяния для всех ИМС, для полупроводниковых ИМС Р₀ = 4,5 Вт/мм².

В нашем случае:

R₁ - R₄: b_р = 3,5183 мкм,

R₅: b_р = 34,1512 мкм.

3.               Расчетное значение ширины резистора определяется максимальным из рассчитанных значений:

b_расч = max{b_P, b_точн}

R₁ - R₄: b_расч = 3,5183 мкм,

R₅: b_расч = 34, 1512 мкм.

Расчеты b для R₁ – R₄ дают значение ширины резистора меньше технологически возможной (5 мкм), поэтому для последующих расчетов принимаем b_расч = 5 мкм.

4.               С учетом растравливания окон в маскирующем окисле и боковой диффузии ширина резистора на фотошаблоне должна быть несколько меньше расчетной:

b_пром = b_расч - 2( D_трав - D_у).

D_трав — погрешность растравливания маскирующего окисла,

D_у — погрешность боковой диффузии.

Для расчета примем D_трав = 0,3; D_у = 0,6, тогда

R₁ - R₄: b_пром = 5,6 мкм,