.

В нашем случае Dх_э = 0,08858 мкм.

1.               Рассчитываем ширину активной базы:

W_ба = W_б0 - Dх_э - Dх_кб.

В нашем случае W_ба = 0,4944 мкм.

Дальнейший расчет транзистора включает вычисление площади эмиттерного перехода,.

2.               Расчет минимальной площади эмиттерного перехода осуществляется на основе критической плотности тока через эмиттерный переход:

, где  = const для Si (10⁷ cм/с).

В нашем случае j_кр = 2811 А/см².

В нашем случае S_е = 160,1 мкм².

3.               Определим емкость коллекторного перехода на основе граничной частоты транзистора.

Из заданной частоты f_t, найдем емкость коллекторного перехода С_к

.

В нашем случае С_к = 0,5 пФ.

4.               Найдем площадь коллекторного перехода как сумму площадей его донной и боковой частей. Причем донная часть площади составляет приблизительно 80 % от общей его площади.

Рассчитаем площадь донной части коллекторного перехода:

, где V_k =V_kp.

В нашем случае S_{б дон} = 2734 мкм².

Исходя из полученного значения площади, найдем площадь боковой части коллекторного перехода:

.