Пользовательского поиска
|
,
где хк — глубина коллекторного перехода.
В
нашем случае La = 0,374 мкм; Lд = 0,0748 мкм.
1.
Для расчета ширины ОПЗ (области
пространственного заряда) на коллекторном и эмиттерном переходах предварительно
вычисляют контактную разность потенциалов на коллекторном переходе:
,
где fт — тепловой потенциал, равный 0,0258 В при Т = 300 К; ni
— концентрация собственных носителей заряда в кремнии (ni » 1010
см-3).
В
нашем случае fк = 0,6771 В.
Контактная
разность потенциалов на эмиттерном переходе fэ рассчитывается
аналогично fк.
В
нашем случае fэ = 0,1809 В.
2.
Рассчитывают ширину ОПЗ,
распространяющуюся в сторону базы (Dхкб) и в сторону коллектора (Dхкк)
при максимальном смещении коллекторного перехода Uкб:
,
где ,
e0, eн — соответственно диэлектрическая постоянная и
относительная диэлектрическая проницаемость полупроводниковой подложки.
В
нашем случае Dхкб = 0,387 мкм, Dхкк = 0,6656 мкм.
3.
Выбираем ширину технологической базы
равной 1 мкм.
4.
Определяем концентрацию акцепторов на
эмиттерном переходе:
Na (xjэ)
= Nдк
exp(Wб0 / La).
В
нашем случае Na (xjэ) = 1,338 · 1017 см-3.
5.
В результате высокой степени
легирования эмиттера область объемного заряда на эмиттерном переходе в основном
будет сосредоточена в базе. Приближенно можно считать, что Dхэб » Dхэ,
где