, где х_к — глубина коллекторного перехода.

В нашем случае L_a = 0,374 мкм; L_д = 0,0748 мкм.

1.               Для расчета ширины ОПЗ (области пространственного заряда) на коллекторном и эмиттерном переходах предварительно вычисляют контактную разность потенциалов на коллекторном переходе:

, где f_т — тепловой потенциал, равный 0,0258 В при Т = 300 К; n_i — концентрация собственных носителей заряда в кремнии (n_i » 10¹⁰ см^-3).

В нашем случае f_к = 0,6771 В.

Контактная разность потенциалов на эмиттерном переходе f_э рассчитывается аналогично f_к.

В нашем случае f_э = 0,1809 В.

2.               Рассчитывают ширину ОПЗ, распространяющуюся в сторону базы (Dх_кб) и в сторону коллектора (Dх_кк) при максимальном смещении коллекторного перехода U_кб:

, где , e₀, e_н — соответственно диэлектрическая постоянная и относительная диэлектрическая проницаемость полупроводниковой подложки.

В нашем случае Dх_кб = 0,387 мкм, Dх_кк = 0,6656 мкм.

3.               Выбираем ширину технологической базы равной 1 мкм.

4.               Определяем концентрацию акцепторов на эмиттерном переходе:

N_a (x_jэ) = N_дк exp(W_б0 / L_a).

В нашем случае N_a (x_jэ) = 1,338 · 10¹⁷ см^-3.

5.               В результате высокой степени легирования эмиттера область объемного заряда на эмиттерном переходе в основном будет сосредоточена в базе. Приближенно можно считать, что Dх_эб » Dх_э, где