металлические соединения, соответствующие рисунку схемы. После фотолитографии металл обжигается в среде азота при температуре около 500 °С.

Фотолитография для создания рисунка разводки и нанесение слоя защитного диэлектрика

Фотолитография для вскрытия окон контактных площадок для последующего приваривания проводников

Последовательность расчета параметров биполярного транзистора

Исходные данные для расчета:

• Максимальное напряжение на коллекторном переходе: U_кб = 1,5 В.
• Максимальный ток эмиттера: І_э = 4,5 мА.
• Граничная частота f_т = 500 МГц.

Дальнейший расчет проводится с помощью программы расчета параметров биполярных транзисторов, результаты расчета, представленные ниже, были получены с помощью данной программы.

Расчет выполняется в следующей последовательности:

1.               По заданному максимально допустимому напряжению U_кб определяют пробивное напряжение U_кб0, которое должно быть хотя бы на 20 % больше U_кб и учитывает возможные колебания напряжения питания, т. е. U _кб0 = 1,2 U_кб, в нашем случае U_кб0 = 1,8 В.

Пробивное напряжение U_пр коллекторного перехода выбираем с коэффициентом запаса 3, это учитывает возможность пробоя по поверхности и на закруглениях коллекторного перехода. В нашем случае U_пр = 5,4 В.

По графику зависимости U_пр (N_дк), где N_дк — концентрация доноров в коллекторе, находят N_дк. В программе расчета значение концентрации находится численными методами. В нашем случае N_дк = 5 · 10¹⁷ см^-3. Данное значение слишком велико, т. к при таком значении возможно появление паразитного n-канала, поэтому уменьшим его до 10¹⁶ см^-3.

По графику зависимости подвижности электронов от их концентрации находят подвижность электронов. В нашем случае m_n = 1200 см² / (В · с).

2.               Определяют характеристическую длину распределения акцепторов L_а и доноров L_д: