Пользовательского поиска
|
подставлять , где коэффициент m учитывает
влияние токов реального перехода (m = 2 -
4). С учетом этого уравнения (10.3), (10.5) часто записывают в другом виде,
который более удобен для расчета цепей с реальными транзисторами:
(10.8)
(10.9)
(10.10)
где .
Различают три основных режима
работы биполярного транзистора:
активный, отсечки, насыщения.
В активном режиме один из
переходов биполярного транзистора смещен в прямом направлении приложенным к
нему внешним напряжением, а другой - в обратном направлении. Соответственно в
нормальном активном режиме в прямом направлении смещен эмиттерный переход, и в
(10.3), (10.8) напряжение имеет знак «+». Коллекторный
переход смещен в обратном направлении, и напряжение в (10.3) имеет знак « - ». При инверсном
включении в уравнения (10.3), (10.8) следует подставлять противоположные
полярности напряжений , . При этом различия между
инверсным и активным режимами носят только количественный характер.
Для активного режима, когда и (10.6) запишем в виде .
Учитывая, что обычно и , уравнение (10.7)
можно упростить:
(10.11)
Таким образом, в
идеализированном транзисторе ток коллектора и напряжение эмиттер-база при
определенном значении тока не зависят от напряжения, приложенного к
коллекторному переходу. В действительности изменение напряжения меняет ширину базы из-за изменения размеров
коллекторного перехода и соответственно изменяет градиент концентрации неосновных
носителей заряда. Так, с увеличением ширина базы уменьшается, градиент концентрации дырок в
базе и ток увеличиваются. Кроме этого, уменьшается
вероятность рекомбинации дырок и увеличивается коэффициент . Для учета этого эффекта,
который наиболее сильно проявляется при работе в активном режиме, в выражение
(10.11) добавляют дополнительное слагаемое
(10.12)