Связь   между   тепловыми   то­ками     p-n -переходов ,включенных   раздельно,   И  тепловыми токами , получим из (10.1 и 10.2). Пусть . Тогда . При  . Подставив эти выражения в (10.1), для тока коллектора  получим .

Соответственно  для  имеем 

Токи   коллектора  и  эмиттера  с учетом  (10.2) примут вид

                                                          (10.3)

На  основании  закона  Кирхгофа  ток  базы

                 (10.4)

При использовании (10.1)-(10.4) следует помнить, что в полупроводниковых транзисторах в самом общем случае справедливо  равенство

                                                                                                       (10.5)

Решив  уравнения   (10.3)  относительно  ,   получим

                                                                                  (10.6)

Это   уравнение   описывает   выходные   характеристики   тран­зистора.

Уравнения (10.3), решенные относительно , дают выраже­ние, характеризующее идеализированные входные характеристи­ки  транзистора:

                                                                  (10.7)

В реальном транзисторе кроме тепловых токов через переходы протекают токи генерации — рекомбинации, каналь­ные токи и токи утечки. Поэтому ,, ,  как правило, неизвестны. В технических условиях на транзисторы обычно приводят значения обратных токов p-n-переходов ,. определенные как ток соответствующего перехода при неподключенном  выводе другого  перехода.

Если p-n-переход смещен в обратном направлении, то вместо теплового тока можно подставлять значение обратного тока, т. е. считать, что и . В первом приближении это можно делать и при прямом смещении p-n-перехода. При этом для кремниевых транзисторов вместо  следует