Также важным параметром является коэффициент передачи тока эмиттера (приращение тока коллектора к приращению тока эмиттера при неизменно напряжении на коллекторном переходе).

Этот коэффициент мало отличается от единицы (от 0.95 до 0.99). Но кроме коллекторного тока, созданного инжекцией, в коллекторной цепи течет еще и небольшой по величине обратный ток коллекторного перехода I_кбо, обусловленный неосновными носителями коллектора и базы. При изменении окружающей температуры обратный ток нарушает стабильность работы транзистора., т.к. I_к = I_ку + I_кбо.

Можно также упомянуть, что каждый транзистор обладает рядом параметров. Часть из них можно назвать параметрами транзисторов при малых токах, а остальные – физическими параметрами транзистора.

Рассмотрим для начала параметры при малых токах. При малых токах транзистор можно рассматривать как линейный активный четырехполюсник, описываемый следующими уравнениями:

U₁=h₁₁I₁+h₁₂U₂

I₂=h₂₁I₁+h₂₂U₂

Где h₁₁ – входное сопротивление при коротком замыкании на выходе

h₁₂ – коэффициент обратной передачи при холостом ходе на входе

h₂₁ – коэффициент усиления по току при коротком замыкании на выходе

h₂₂ – выходная проводимость при холостом ходе на входе.

К физическим параметрам транзисторов относятся: r_э – сопротивление эмиттерного перехода с учетом объемного сопротивления эмиттерной области (обычно – несколько десятков Ом); r_к – сопротивление коллекторного перехода (от нескольких сотен килоом до мегаома); r_б – объемно сопротивление базы (несколько сот Ом).

Также любой транзистор обладает т.н. предельным характеристиками: предельной температурой переходов (для кремниевых транзисторов до 200