градусов по Цельсию, для германиевых – до 100) и максимальная мощность, рассеиваемая транзистором:

где T_окр – температура окружающей среды, R_Tокр – тепловое сопротивление, T_nmax – предельная температура переходов.

От температуры зависят и другие характеристики транзисторов, как то, например, при повышении температуры на 10 градусов ток I_кбо возрастает в 2 раза, что нарушает режим работы транзистора в сторону больших токов. Поэтому в промышленности применяются транзисторы из более термостойких материалов (кремниевые) и различные методы охлаждения схемы.

Однако, биполярные транзисторы обладают весьма небольшим входным сопротивлением и высокой инерционностью. Поэтому в компьютерах используются в основном полевые транзисторы, которые (к тому же) гораздо легче поддаются миниатюризации. Биполярные транзисторы дают большее быстродействие.

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы бывают двух типов – канальные и с изолированным затвором. Последние и применяются в компьютерах, их мы и рассмотрим.

(здесь и далее серым цветом обозначается окисел кремния SiO₂).

Металлический электрод затвора изолирован от канала тонким слоем диэлектрика (двуокисью кремния SiO₂). Концентрация примеси в областях стока и истока значительно больше, чем в канале. Основанием для транзистора служит полупроводник p-типа. Исток, сток и затвор имеют металлические выводы, с помощью которых транзистор и подключается к схеме. Такой транзистор также называется МОП-транзистором (металл-окисел-полупроводник).

МОП-транзисторы характеризуются следующими статическими параметрами режима насыщения:

 при U_c=const,

где S – крутизна характеристик, DI_c – изменение тока стока, DU_зи – изменение напряжения на затворе при постоянном напряжении на стоке.

 при U_зи=const,