Пользовательского поиска
|
Задание на курсовое проектирование
В |
данном курсовом проекте требуется разработать комплект конструкторской документации интегральной микросхемы К 237 ХА2. По функциональному назначению разрабатываемая микросхема представляет собой усилитель промежуточной частоты. Микросхема должна быть изготовлена по тонкопленочной технологии методом свободных масок (МСМ) в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИМС).
|
Рис. 1. Схема электрическая принципиальная
Таблица 1. Номиналы элементов схемы:
Элемент |
Номинал |
Элемент |
Номинал |
Элемент |
Номинал |
Элемент |
Номинал |
R1 |
950 Ом |
R7 |
4,25 кОм |
R13 |
1 кОм |
R19 |
1 кОм |
R2 |
14 кОм |
R8 |
12,5 кОм |
R14 |
3,5 кОм |
C1 |
3800 пФ |
R3 |
45 кОм |
R9 |
500 Ом |
R15 |
10 кОм |
VT1-VT8 |
КТ 312 |
R4 |
35 кОм |
R10 |
3 кОм |
R16 |
3,5 кОм |
E |
7,25 В |
R5 |
12,5 кОм |
R11 |
10 кОм |
R17 |
2,5 кОм |
|
|
R6 |
950 Ом |
R12 |
500 Ом |
R18 |
1 кОм |
|
|