![]()
Пользовательского поиска
|
2.2.2 Выбор транзистора и расчёт эквивалентных схем замещения.
На основании следующих неравенств: Uкэ0(допустимое)>Uкэ0*1,2; Iк0(доп)>Iк0*1.2; Рк расс> Рк расс(доп)*1,2; fт>(3¸10)*fв>2300
МГц выберем
транзистор, которым будет являться 2Т996А [5]. Его параметры необходимые
при расчете приведены ниже:
tс=4,6 пс- постоянная цепи обратной связи,
Ск=1,6 пФ- ёмкость коллектора
при Uкэ=10 В,
b0=55- статический коэффициент передачи тока в
схеме с общим эмитером,
Uкэ0(доп)=20 В, Iк0(доп)=200 мА- соответственно паспортные значения
допустимого напряжения на коллекторе и постоянной составляющей тока коллектора,
Рк расс(доп)=2,5
Вт-допустимая мощность рассеиваемая на коллекторе транзистора, fт=5000 МГц- значение
граничной частоты транзистора при которой =1,
Lб=1 нГн, Lэ=0,183
нГн- индуктивности базового и эмитерного выводов соответственно.
.
2.2.2.1Расчёт параметров схемы Джиаколетто.
Рисунок 2.2.2.1.1- Эквивалентная схема
биполярного
транзистора (схема
Джиаколетто).
Расчёт основан на [2].
Ск(треб)=Ск(пасп)*=1,6×
=2,26 (пФ), где
Ск(треб)-ёмкость коллекторного
перехода при заданном Uкэ0,
Ск(пасп)-справочное значение ёмкости
коллектора при Uкэ(пасп).
rб= =2,875 (Ом); gб=
=0,347 (Cм), где
rб-сопротивление базы,
-справочное значение постоянной цепи обратной связи.
rэ= =
=0,763 (Ом), где
Iк0 в мА,
rэ-сопротивление эмитера.
gбэ==
=0,023, где
gбэ-проводимость база-эмитер,
![]() |