![]()
Пользовательского поиска
|
На рис. 7.5 приведены результаты численного эксперимента по исследованию
влияния качества диэлектрика подложки на КПД ФАР с прямо угольными печатными
излучателями. На рис. 7.6 представлены зависимости h печатного излучателя от высоты
пластинки над экраном при разных значениях tgD. Из графиков, приведенных на рисунках, следует,
что уменьшение толщины подложки t приводит к росту потерь и
уменьшению КПД ФАР.
Согласно (7.24) при уменьшении толщины подложки потери в экране и пластинке возрастают и могут существенно превышать потери в диэлектрике подложки. При использовании ВЧ диэлектриков с tgD<10-3 и толщиной подложки t>0,01l потери в печатных излучателях пренебрежимо малы.
При больших смещениях штыря относительно центра печатного излучателя
(7.25)
где Z0вх(yшт) - резонансное входное сопротивление излучателя без потерь, определяемое (7.13);
(7.26)
Здесь a - коэффициент затухания полосковой линии,
отрезок которой с устройством возбуждения образует печатный излучатель.
Поляризация излучаемых волн зависит от положения штыря и размеров пластинки. Одиночный излучатель с линейной поляризацией поля возбуждается штырем, расположенным на оси симметрии пластинки, параллельной стороне с резонансным размером. Положение штыря на оси симметрии пластинки определяется условием согласования излучателя с линией передачи, а рабочая полоса частот - толщиной и диэлектрической проницаемостью подложки. Взаимодействие излучателей в ФАР приводит к существенному изменению их характеристик (рис. 7.7, 7.8).
Расчет одиночного излучателя включает следующие этапы:
Определение резонансных размеров. Выбирают исходные значения толщины и диэлектрической проницаемости подложки. При произвольном положении штыря на одной из осей
![]() |